中微公司公告称，中微公司近日推出六款半导体设备新产品，包括两款刻蚀设备和四款薄膜沉积设备。刻蚀设备方面，新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE®和专注于金属刻蚀的PrimoMenova™12寸ICP单腔刻蚀设备，旨在满足客户在极高深宽比刻蚀和金属刻蚀领域的需求。薄膜沉积设备方面，包括三款原子层沉积产品和一款外延产品，如PreformaUniflash®金属栅系列和PRIMIOEpita®RP双腔减压外延设备。这些新产品预计将对公司未来半导体设备市场拓展和业绩成长性产生积极影响。新产品尚处于市场导入初期，存在市场推广和客户验证等风险，可能对公司收入和盈利带来不确定性。