三星电子预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片，下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around（GAA）技术之上。三星称，与现有的FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。